HYG014N03LR1P
IC
TO-220FB-3L
可供量大可议
HYG014N03LR1P
特性：30V/275A， RDS(ON)=1.3mΩ（典型值）， VGS = 10V； RDS(ON)=1.6mΩ（典型值）， VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）。 应用：电池保护。 逆变器系统的电源管理
品牌
HUAYI
封装
TO-220FB-3L
库存
10
货期
现货
HYG014N03LR1P参数
| 封装 | TO-220FB-3L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
HYG014N03LR1P概述
特性：30V/275A， RDS(ON)=1.3mΩ（典型值）， VGS = 10V； RDS(ON)=1.6mΩ（典型值）， VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）。 应用：电池保护。 逆变器系统的电源管理
HYG014N03LR1P特性
暂无产品特性。
HYG014N03LR1P应用领域
暂无应用领域。