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HYG013N03LS1C2
IC

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可供量大可议

HYG013N03LS1C2

30V RDS(ON)=1.3mΩ(典型值), VGS=10V; RDS(ON)=2.0mΩ(典型值), VGS=4.5V。 经过100%雪崩测试

品牌

HUAYI

封装

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库存

10,765

货期

现货

HYG013N03LS1C2参数

封装PDFN5x6-8
品牌HUAYI(华羿微)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存10765

HYG013N03LS1C2概述

30V RDS(ON)=1.3mΩ(典型值), VGS=10V; RDS(ON)=2.0mΩ(典型值), VGS=4.5V。 经过100%雪崩测试

HYG013N03LS1C2特性

暂无产品特性。

HYG013N03LS1C2应用领域

暂无应用领域。

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