HYG011N04LS1C2
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
HYG011N04LS1C2
40V/165A。 在VGS = 10V时， RDS(ON) = 1.1mΩ（典型值）。 在VGS = 4.5V时， RDS(ON) = 1.5mΩ（典型值）
品牌
HUAYI
封装
DFN5x6-8
库存
5,277
货期
现货
HYG011N04LS1C2参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5277 |
HYG011N04LS1C2概述
40V/165A。 在VGS = 10V时， RDS(ON) = 1.1mΩ（典型值）。 在VGS = 4.5V时， RDS(ON) = 1.5mΩ（典型值）
HYG011N04LS1C2特性
暂无产品特性。
HYG011N04LS1C2应用领域
暂无应用领域。