HYG009N04LS1C2
IC
DFN-8(5.1x5.8)
可供量大可议
HYG009N04LS1C2
场效应管(MOSFET) 75W 40V 200A 1个N沟道
品牌
HUAYI
封装
DFN-8(5.1x5.8)
库存
43,591
货期
现货
HYG009N04LS1C2参数
| 封装 | DFN-8(5.1x5.8) |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 5.876nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 1.278nF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 43,591 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF |
| 类型 | N沟道 |
HYG009N04LS1C2概述
场效应管(MOSFET) 75W 40V 200A 1个N沟道
HYG009N04LS1C2特性
暂无产品特性。
HYG009N04LS1C2应用领域
暂无应用领域。