HYG007N03LS1C2
IC
PDFN5x6-8L
可供量大可议
HYG007N03LS1C2
特性：30V/220A。 RDS(ON) = 0.63mΩ (典型值) @VGS = 10V。 RDS(ON) = 0.96mΩ (典型值) @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤器件。 应用：开关应用。 DC/DC电源管理
品牌
HUAYI
封装
PDFN5x6-8L
库存
324
货期
现货
HYG007N03LS1C2参数
| 封装 | PDFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 324 |
HYG007N03LS1C2概述
特性：30V/220A。 RDS(ON) = 0.63mΩ (典型值) @VGS = 10V。 RDS(ON) = 0.96mΩ (典型值) @VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤器件。 应用：开关应用。 DC/DC电源管理
HYG007N03LS1C2特性
暂无产品特性。
HYG007N03LS1C2应用领域
暂无应用领域。