HYG006N04LS1B6
IC
TO-263-6
可供量大可议
HYG006N04LS1B6
特性：40V/530A， RDS(ON) = 0.55mΩ（典型值）@VGS = 10V， RDS(ON) = 0.72mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可供选择。 应用：负载开关-锂电池保护板
品牌
HUAYI
封装
TO-263-6
库存
346
货期
现货
HYG006N04LS1B6参数
| 封装 | TO-263-6 |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 346 |
HYG006N04LS1B6概述
特性：40V/530A， RDS(ON) = 0.55mΩ（典型值）@VGS = 10V， RDS(ON) = 0.72mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可供选择。 应用：负载开关-锂电池保护板
HYG006N04LS1B6特性
暂无产品特性。
HYG006N04LS1B6应用领域
暂无应用领域。