HY1V221MC080105MEO
IC
SMD, D8xL10.5mm
可供量大可议
HY1V221MC080105MEO
特性：工作温度范围:-40°C ~ 105°C。 额定电压范围:4V ~ 100V。 标称电容量范围:0.1 ~ 8200 μF。 标称电容量允许偏差:±20%(20°C, 120HZ)。 漏电流:I≤0.01CVR 或 3(μA), 取较大者(施加额定电压2分钟), CR为标称电容量(μF), UR为额定电压(V)。 损耗角正切(tgδ):20°C, 120HZ 时, 不同额定电压对应不同 tgδ 值, 容量大于1000uF者, 每增加1000uF, 其损耗角正切值增加0.02
品牌
HYNCDZ
封装
SMD, D8xL10.5mm
库存
510
货期
现货
HY1V221MC080105MEO参数
| 封装 | SMD, D8xL10.5mm |
|---|---|
| 品牌 | HYNCDZ(宏远纳川) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 贴片型铝电解电容 |
|---|---|
| 库存 | 510 |
HY1V221MC080105MEO概述
特性：工作温度范围:-40°C ~ 105°C。 额定电压范围:4V ~ 100V。 标称电容量范围:0.1 ~ 8200 μF。 标称电容量允许偏差:±20%(20°C, 120HZ)。 漏电流:I≤0.01CVR 或 3(μA), 取较大者(施加额定电压2分钟), CR为标称电容量(μF), UR为额定电压(V)。 损耗角正切(tgδ):20°C, 120HZ 时, 不同额定电压对应不同 tgδ 值, 容量大于1000uF者, 每增加1000uF, 其损耗角正切值增加0.02
HY1V221MC080105MEO特性
暂无产品特性。
HY1V221MC080105MEO应用领域
暂无应用领域。