HY1V101MC063077MEO
IC
SMD, D6.3xL7.7mm
可供量大可议
HY1V101MC063077MEO
特性：工作温度范围:-40°C ~ 105°C。 额定电压范围:4V ~ 100V。 标称电容量范围:0.1 ~ 8200 μF。 标称电容量允许偏差:±20%(20°C, 120HZ)。 漏电流:I≤0.01CVR 或 3(μA), 取较大者(施加额定电压2分钟), CR 为标称电容量(μF), UR 为额定电压(V)。 损耗角正切(tgδ)(20°C, 120HZ): UR(V)为 4 时, tgδ 为 0.35。 UR(V)为 6.3 时, tgδ 为 0.28。 UR(V)为 10 时, tgδ 为 0.24
品牌
HYNCDZ
封装
SMD, D6.3xL7.7mm
库存
490
货期
现货
HY1V101MC063077MEO参数
| 封装 | SMD, D6.3xL7.7mm |
|---|---|
| 品牌 | HYNCDZ(宏远纳川) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 贴片型铝电解电容 |
|---|---|
| 库存 | 490 |
HY1V101MC063077MEO概述
特性：工作温度范围:-40°C ~ 105°C。 额定电压范围:4V ~ 100V。 标称电容量范围:0.1 ~ 8200 μF。 标称电容量允许偏差:±20%(20°C, 120HZ)。 漏电流:I≤0.01CVR 或 3(μA), 取较大者(施加额定电压2分钟), CR 为标称电容量(μF), UR 为额定电压(V)。 损耗角正切(tgδ)(20°C, 120HZ): UR(V)为 4 时, tgδ 为 0.35。 UR(V)为 6.3 时, tgδ 为 0.28。 UR(V)为 10 时, tgδ 为 0.24
HY1V101MC063077MEO特性
暂无产品特性。
HY1V101MC063077MEO应用领域
暂无应用领域。