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HY19P03B
IC

TO-263-2L

可供量大可议

HY19P03B

P沟道增强型MOSFET。

品牌

HUAYI

封装

TO-263-2L

库存

1,719

货期

现货

产品参数概述特性应用领域

HY19P03B参数

封装TO-263-2L
品牌HUAYI(华羿微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1719

HY19P03B概述

P沟道增强型MOSFET。

HY19P03B特性

暂无产品特性。

HY19P03B应用领域

暂无应用领域。

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