HY1908D-VB
IC
TO-252
可供量大可议
HY1908D-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于广泛的电子设备和系统， 包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块。 TO252； N—Channel沟道, 80V； 75A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
50
货期
现货
HY1908D-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
HY1908D-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于广泛的电子设备和系统， 包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块。 TO252； N—Channel沟道, 80V； 75A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2.5~4V
HY1908D-VB特性
暂无产品特性。
HY1908D-VB应用领域
暂无应用领域。