HY1503C1
IC
DFN3x3-8L
可供量大可议
HY1503C1
特性：30V/34A， RDS(ON) = 7.1mΩ（典型值）@VGS = 10V， RDS(ON) = 10.0mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 DC/DC电源管理
品牌
HUAYI
封装
DFN3x3-8L
库存
2,295
货期
现货
HY1503C1参数
| 封装 | DFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2295 |
HY1503C1概述
特性：30V/34A， RDS(ON) = 7.1mΩ（典型值）@VGS = 10V， RDS(ON) = 10.0mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤环保器件（符合RoHS标准）。 应用：开关应用。 DC/DC电源管理
HY1503C1特性
暂无产品特性。
HY1503C1应用领域
暂无应用领域。