HY1210D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HY1210D
特性：100V/26A， RDS(ON) = 32mΩ(典型值)@VGS = 10V， RDS(ON) = 34mΩ(典型值)@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 有无卤环保器件（符合RoHS标准）。 应用：逆变器系统的电源管理
品牌
HUAYI
封装
TO-252-2L
库存
3,935
货期
现货
HY1210D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUAYI(华羿微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3935 |
HY1210D概述
特性：100V/26A， RDS(ON) = 32mΩ(典型值)@VGS = 10V， RDS(ON) = 34mΩ(典型值)@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 有无卤环保器件（符合RoHS标准）。 应用：逆变器系统的电源管理
HY1210D特性
暂无产品特性。
HY1210D应用领域
暂无应用领域。