HXYG400N06L
IC
TOLL-8
可供量大可议
HXYG400N06L
该N沟道场效应管导通电阻低至1.25mΩ, 有助于减少功率损耗并提升系统效率。 其低RDON特性使其适用于处理大电流的应用场景, 结合较高的电流承载能力, 适合用于电源管理、直流变换、电机驱动及高密度功率转换电路中。 器件参数设计注重热稳定性与开关性能, 可满足对效率和紧凑布局有要求的高性能电子设备需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TOLL-8
库存
18
货期
现货
HXYG400N06L参数
| 封装 | TOLL-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
HXYG400N06L概述
该N沟道场效应管导通电阻低至1.25mΩ, 有助于减少功率损耗并提升系统效率。 其低RDON特性使其适用于处理大电流的应用场景, 结合较高的电流承载能力, 适合用于电源管理、直流变换、电机驱动及高密度功率转换电路中。 器件参数设计注重热稳定性与开关性能, 可满足对效率和紧凑布局有要求的高性能电子设备需求。
HXYG400N06L特性
暂无产品特性。
HXYG400N06L应用领域
暂无应用领域。
