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HXYG400N06L
IC

TOLL-8

可供量大可议

HXYG400N06L

该N沟道场效应管导通电阻低至1.25mΩ, 有助于减少功率损耗并提升系统效率。 其低RDON特性使其适用于处理大电流的应用场景, 结合较高的电流承载能力, 适合用于电源管理、直流变换、电机驱动及高密度功率转换电路中。 器件参数设计注重热稳定性与开关性能, 可满足对效率和紧凑布局有要求的高性能电子设备需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TOLL-8

库存

18

货期

现货

HXYG400N06L参数

封装TOLL-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存18

HXYG400N06L概述

该N沟道场效应管导通电阻低至1.25mΩ, 有助于减少功率损耗并提升系统效率。 其低RDON特性使其适用于处理大电流的应用场景, 结合较高的电流承载能力, 适合用于电源管理、直流变换、电机驱动及高密度功率转换电路中。 器件参数设计注重热稳定性与开关性能, 可满足对效率和紧凑布局有要求的高性能电子设备需求。

HXYG400N06L特性

暂无产品特性。

HXYG400N06L应用领域

暂无应用领域。

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