HXY80N06D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HXY80N06D
本款消费级N沟道MOSFET采用高效封装TO-252-2L， 具备60V电压额定值及80A强大连续电流承载力。 专为高性能消费电子产品设计， 具有出色的开关效率和可靠性， 是优化电源转换、提升系统能效的理想半导体器件选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
2,345
货期
现货
HXY80N06D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2345 |
HXY80N06D概述
本款消费级N沟道MOSFET采用高效封装TO-252-2L， 具备60V电压额定值及80A强大连续电流承载力。 专为高性能消费电子产品设计， 具有出色的开关效率和可靠性， 是优化电源转换、提升系统能效的理想半导体器件选择。
HXY80N06D特性
暂无产品特性。
HXY80N06D应用领域
暂无应用领域。