HXY60N03D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HXY60N03D
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装， 额定电压30V， 具备60A大电流处理能力， 专为高功率、高效能的电源转换与电机驱动等应用设计， 提供卓越的开关性能及低损耗特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
425
货期
现货
HXY60N03D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 425 |
HXY60N03D概述
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装， 额定电压30V， 具备60A大电流处理能力， 专为高功率、高效能的电源转换与电机驱动等应用设计， 提供卓越的开关性能及低损耗特性。
HXY60N03D特性
暂无产品特性。
HXY60N03D应用领域
暂无应用领域。