HXY50N06D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HXY50N06D
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装， 额定电压60V， 峰值电流高达50A。 专为提升电源转换效率和开关性能设计， 适用于各类电子设备， 以强大的电流承载能力和卓越的能效表现， 实现高效、稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
2,245
货期
现货
HXY50N06D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2245 |
HXY50N06D概述
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装， 额定电压60V， 峰值电流高达50A。 专为提升电源转换效率和开关性能设计， 适用于各类电子设备， 以强大的电流承载能力和卓越的能效表现， 实现高效、稳定运行。
HXY50N06D特性
暂无产品特性。
HXY50N06D应用领域
暂无应用领域。