HXY4012GD
IC
TO-252-4L
可供量大可议
HXY4012GD
本款消费级N+P沟道MOSFET封装为TO-252-4L， 额定电压40V， 提供高效稳定的20A电流处理能力。 专为中低压环境下双极性电源转换设计， 广泛应用于各类消费电子产品， 实现卓越的能效和系统稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-4L
库存
220
货期
现货
HXY4012GD参数
| 封装 | TO-252-4L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 220 |
HXY4012GD概述
本款消费级N+P沟道MOSFET封装为TO-252-4L， 额定电压40V， 提供高效稳定的20A电流处理能力。 专为中低压环境下双极性电源转换设计， 广泛应用于各类消费电子产品， 实现卓越的能效和系统稳定性。
HXY4012GD特性
暂无产品特性。
HXY4012GD应用领域
暂无应用领域。