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HXY3N10AI
IC

SOT-23

可供量大可议

HXY3N10AI

该消费级N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装, 适用于100V电压系统, 额定电流高达3A。 专为电池管理、信号切换等应用设计, 具有卓越的低导通电阻与快速开关性能, 是现代电子设备中理想的高效能半导体功率开关组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

2,800

货期

现货

HXY3N10AI参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存2800

HXY3N10AI概述

该消费级N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装, 适用于100V电压系统, 额定电流高达3A。 专为电池管理、信号切换等应用设计, 具有卓越的低导通电阻与快速开关性能, 是现代电子设备中理想的高效能半导体功率开关组件。

HXY3N10AI特性

暂无产品特性。

HXY3N10AI应用领域

暂无应用领域。

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