HXY3N10AI
IC
SOT-23
可供量大可议
HXY3N10AI
该消费级N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装, 适用于100V电压系统, 额定电流高达3A。 专为电池管理、信号切换等应用设计, 具有卓越的低导通电阻与快速开关性能, 是现代电子设备中理想的高效能半导体功率开关组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
2,800
货期
现货
HXY3N10AI参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2800 |
HXY3N10AI概述
该消费级N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装, 适用于100V电压系统, 额定电流高达3A。 专为电池管理、信号切换等应用设计, 具有卓越的低导通电阻与快速开关性能, 是现代电子设备中理想的高效能半导体功率开关组件。
HXY3N10AI特性
暂无产品特性。
HXY3N10AI应用领域
暂无应用领域。
