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HXY3419DF
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

HXY3419DF

本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装, 额定电压为30V, 最大连续电流高达32A。 专为高效能、小体积电源转换、负载开关及电池管理系统设计, 具备出色的热性能与低导通电阻, 实现现代电子产品的小型化与节能需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

386

货期

现货

HXY3419DF参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存386

HXY3419DF概述

本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装, 额定电压为30V, 最大连续电流高达32A。 专为高效能、小体积电源转换、负载开关及电池管理系统设计, 具备出色的热性能与低导通电阻, 实现现代电子产品的小型化与节能需求。

HXY3419DF特性

暂无产品特性。

HXY3419DF应用领域

暂无应用领域。

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