HXY30N06D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HXY30N06D
本款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装工艺， 是一款强大的N沟道半导体器件， 额定电压60V， 峰值电流30A， 专为优化电源转换效率和开关性能设计。 其卓越的能效表现与稳定性， 广泛应用于各类高要求电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
180
货期
现货
HXY30N06D参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 180 |
HXY30N06D概述
本款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装工艺， 是一款强大的N沟道半导体器件， 额定电压60V， 峰值电流30A， 专为优化电源转换效率和开关性能设计。 其卓越的能效表现与稳定性， 广泛应用于各类高要求电子设备中。
HXY30N06D特性
暂无产品特性。
HXY30N06D应用领域
暂无应用领域。