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HXY20N10D
IC

TO-252

可供量大可议

HXY20N10D

ID:20A, VDSS:100V, RDON:80mR, VGS:20V, TYPE:N沟道

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252

库存

2,500

货期

现货

HXY20N10D参数

封装TO-252
品牌HXY MOSFET/深圳华轩阳
批次26+
分类场效应管(MOSFET)
库存2500
MOQ / SPQ1 / 1

HXY20N10D概述

ID:20A, VDSS:100V, RDON:80mR, VGS:20V, TYPE:N沟道

HXY20N10D特性

暂无产品特性。

HXY20N10D应用领域

暂无应用领域。

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