HXY10N65F
IC
TO-220F
可供量大可议
HXY10N65F
该消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220F封装， 额定电压高达650V， 可承受10A连续电流， 适用于高电压、大电流电子设备的电源转换和电机控制等应用， 提供稳定可靠的高性能开关解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
20
货期
现货
HXY10N65F参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
HXY10N65F概述
该消费级N沟道MOSFET采用经典TO-220F封装， 额定电压高达650V， 可承受10A连续电流， 适用于高电压、大电流电子设备的电源转换和电机控制等应用， 提供稳定可靠的高性能开关解决方案。
HXY10N65F特性
暂无产品特性。
HXY10N65F应用领域
暂无应用领域。