HXY100N03D
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HXY100N03D
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装， 额定电压30V， 峰值电流高达100A， 专为高功率应用如电源转换、大电流电机驱动设计， 提供低损耗、高效能的开关控制性能。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-252-2L
Stock
1,407
货期
现货
HXY100N03DParameters
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1407 |
HXY100N03D概述
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装， 额定电压30V， 峰值电流高达100A， 专为高功率应用如电源转换、大电流电机驱动设计， 提供低损耗、高效能的开关控制性能。
HXY100N03D特性
暂无产品特性。
HXY100N03D应用领域
暂无应用领域。