HXM10H02NSA
IC
SOT-23
可供量大可议
HXM10H02NSA
N沟道， 漏源电压：100V， 连续漏极电流：2A， 导通电阻：240mΩ@10V， 耗散功率：1.25W， MOSFET产品， ESD防护。
品牌
Huixin
封装
SOT-23
库存
2,945
货期
现货
HXM10H02NSA参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Huixin(慧芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2945 |
HXM10H02NSA概述
N沟道， 漏源电压：100V， 连续漏极电流：2A， 导通电阻：240mΩ@10V， 耗散功率：1.25W， MOSFET产品， ESD防护。
HXM10H02NSA特性
暂无产品特性。
HXM10H02NSA应用领域
暂无应用领域。