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HX8205
IC

SOT-23-6L

可供量大可议

HX8205

HX8205采用先进的沟槽技术, 可实现出色的导通电阻(Rps(on))、低栅极电荷和高密度单元设计, 从而达到超低导通电阻。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

品牌

HX

封装

SOT-23-6L

库存

1,580

货期

现货

HX8205参数

封装SOT-23-6L
品牌HX(恒佳兴)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存1580

HX8205概述

HX8205采用先进的沟槽技术, 可实现出色的导通电阻(Rps(on))、低栅极电荷和高密度单元设计, 从而达到超低导通电阻。 该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

HX8205特性

暂无产品特性。

HX8205应用领域

暂无应用领域。

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