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HW3407
IC

DFN-6(2x2)

可供量大可议

HW3407

P沟道MOSFET, 采用先进沟槽单元设计, 低热阻和低栅极电荷, 适用于便携式设备负载开关和电压控制小信号开关

品牌

R+O

封装

DFN-6(2x2)

库存

16,465

货期

现货

HW3407参数

封装DFN-6(2x2)
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存16465

HW3407概述

P沟道MOSFET, 采用先进沟槽单元设计, 低热阻和低栅极电荷, 适用于便携式设备负载开关和电压控制小信号开关

HW3407特性

暂无产品特性。

HW3407应用领域

暂无应用领域。

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