HW2EP190S
IC
DFN-6(2x2)
可供量大可议
HW2EP190S
P沟道MOSFET， 采用先进沟槽单元设计， 低热阻、开关速度快， 适用于便携式设备负载开关和电压控制小信号开关
品牌
R+O
封装
DFN-6(2x2)
库存
2,350
货期
现货
HW2EP190S参数
| 封装 | DFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2350 |
HW2EP190S概述
P沟道MOSFET， 采用先进沟槽单元设计， 低热阻、开关速度快， 适用于便携式设备负载开关和电压控制小信号开关
HW2EP190S特性
暂无产品特性。
HW2EP190S应用领域
暂无应用领域。