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HW2305B
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DFN-6(2x2)

HW2305B

HW2305B

品牌

R+O

封装

DFN-6(2x2)

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现货

批次

—

HW2305B参数

封装DFN-6(2x2)
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 5
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)18W
栅极电荷量(Qg)35nC@4.5V
反向传输电容(Crss)590pF
类型P沟道
栅极电压(Vgs)±12V
商品型号HW2305B
单位个
商品重量1.5556e-05
分类场效应管(MOSFET)
库存3070
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))18mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))700mV
输入电容(Ciss)2.7nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)680pF
商品名称HW2305B
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

HW2305B概述

HW2305B

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