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HW2305
IC

DFN-6(2x2)

可供量大可议

HW2305

P沟道MOSFET, 采用先进沟槽单元设计, 低热阻、低栅极电荷

品牌

R+O

封装

DFN-6(2x2)

库存

7,805

货期

现货

HW2305参数

封装DFN-6(2x2)
品牌R+O(宏嘉诚)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存7805

HW2305概述

P沟道MOSFET, 采用先进沟槽单元设计, 低热阻、低栅极电荷

HW2305特性

暂无产品特性。

HW2305应用领域

暂无应用领域。

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