HW02N130S
IC
DFN-6(2x2)
可供量大可议
HW02N130S
N沟道MOSFET， 采用先进沟槽单元设计， 低热阻、低栅极电荷， 适用于电机/车身负载控制、DC-DC转换器和负载开关
品牌
R+O
封装
DFN-6(2x2)
库存
2,470
货期
现货
HW02N130S参数
| 封装 | DFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2470 |
HW02N130S概述
N沟道MOSFET， 采用先进沟槽单元设计， 低热阻、低栅极电荷， 适用于电机/车身负载控制、DC-DC转换器和负载开关
HW02N130S特性
暂无产品特性。
HW02N130S应用领域
暂无应用领域。