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HVESD12C1-HD1HG3-08
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HVESD12C1-HD1HG3-08

这款单向ESD静电保护二极管, 专为单路电路防护定制, 工作电压上限为12V, 能承受4A瞬时静电放电电流冲击, 确保电路板上元件安全无虞。 其电容值低至28pF, 极佳地适应了高速信号传输需求, 减少了信号衰减和延迟, 是保护电子设备免受静电损伤的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

40

货期

现货

HVESD12C1-HD1HG3-08参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存40

HVESD12C1-HD1HG3-08概述

这款单向ESD静电保护二极管, 专为单路电路防护定制, 工作电压上限为12V, 能承受4A瞬时静电放电电流冲击, 确保电路板上元件安全无虞。 其电容值低至28pF, 极佳地适应了高速信号传输需求, 减少了信号衰减和延迟, 是保护电子设备免受静电损伤的理想选择。

HVESD12C1-HD1HG3-08特性

暂无产品特性。

HVESD12C1-HD1HG3-08应用领域

暂无应用领域。

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