HVESD12C1-HD1HG3-08
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HVESD12C1-HD1HG3-08
这款单向ESD静电保护二极管, 专为单路电路防护定制, 工作电压上限为12V, 能承受4A瞬时静电放电电流冲击, 确保电路板上元件安全无虞。 其电容值低至28pF, 极佳地适应了高速信号传输需求, 减少了信号衰减和延迟, 是保护电子设备免受静电损伤的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
40
货期
现货
HVESD12C1-HD1HG3-08参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
HVESD12C1-HD1HG3-08概述
这款单向ESD静电保护二极管, 专为单路电路防护定制, 工作电压上限为12V, 能承受4A瞬时静电放电电流冲击, 确保电路板上元件安全无虞。 其电容值低至28pF, 极佳地适应了高速信号传输需求, 减少了信号衰减和延迟, 是保护电子设备免受静电损伤的理想选择。
HVESD12C1-HD1HG3-08特性
暂无产品特性。
HVESD12C1-HD1HG3-08应用领域
暂无应用领域。
