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HVESD08C1-HD1HG3-08
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HVESD08C1-HD1HG3-08

此款单向ESD静电保护二极管, 专为8V电压系统打造, 通过单一通道提供精确的静电防护。 它能承受6A的瞬态电流冲击, 确保电路在高压静电环境下依然稳定运行。 45pF的低电容设计, 减少了对信号传输的影响, 适用于需要高速数据传递及静电保护兼备的电子设备, 是提升系统鲁棒性的理想元件。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

10

货期

现货

HVESD08C1-HD1HG3-08参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存10

HVESD08C1-HD1HG3-08概述

此款单向ESD静电保护二极管, 专为8V电压系统打造, 通过单一通道提供精确的静电防护。 它能承受6A的瞬态电流冲击, 确保电路在高压静电环境下依然稳定运行。 45pF的低电容设计, 减少了对信号传输的影响, 适用于需要高速数据传递及静电保护兼备的电子设备, 是提升系统鲁棒性的理想元件。

HVESD08C1-HD1HG3-08特性

暂无产品特性。

HVESD08C1-HD1HG3-08应用领域

暂无应用领域。

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