HVESD08C1-HD1HG3-08
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HVESD08C1-HD1HG3-08
此款单向ESD静电保护二极管, 专为8V电压系统打造, 通过单一通道提供精确的静电防护。 它能承受6A的瞬态电流冲击, 确保电路在高压静电环境下依然稳定运行。 45pF的低电容设计, 减少了对信号传输的影响, 适用于需要高速数据传递及静电保护兼备的电子设备, 是提升系统鲁棒性的理想元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
10
货期
现货
HVESD08C1-HD1HG3-08参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
HVESD08C1-HD1HG3-08概述
此款单向ESD静电保护二极管, 专为8V电压系统打造, 通过单一通道提供精确的静电防护。 它能承受6A的瞬态电流冲击, 确保电路在高压静电环境下依然稳定运行。 45pF的低电容设计, 减少了对信号传输的影响, 适用于需要高速数据传递及静电保护兼备的电子设备, 是提升系统鲁棒性的理想元件。
HVESD08C1-HD1HG3-08特性
暂无产品特性。
HVESD08C1-HD1HG3-08应用领域
暂无应用领域。
