HVESD03A1C-HD1-GS08
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HVESD03A1C-HD1-GS08
这款单向ESD保护二极管专为低电压应用设计， VRWM为3.3V， 适用于精密电路保护。 它具备单通道结构， 能承受高达7.5A的瞬态电流冲击， 提供强大静电防护。 尽管电容值为100pF， 但在确保信号线路得到充分静电缓解的同时， 仍能满足多数标准速度信号的传输需求， 是现代电子设备中防止静电损伤的可靠选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
40
货期
现货
HVESD03A1C-HD1-GS08参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
HVESD03A1C-HD1-GS08概述
这款单向ESD保护二极管专为低电压应用设计， VRWM为3.3V， 适用于精密电路保护。 它具备单通道结构， 能承受高达7.5A的瞬态电流冲击， 提供强大静电防护。 尽管电容值为100pF， 但在确保信号线路得到充分静电缓解的同时， 仍能满足多数标准速度信号的传输需求， 是现代电子设备中防止静电损伤的可靠选择。
HVESD03A1C-HD1-GS08特性
暂无产品特性。
HVESD03A1C-HD1-GS08应用领域
暂无应用领域。