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HVCUT07B1-HD1-G4-08
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HVCUT07B1-HD1-G4-08

这款双向ESD静电保护二极管, 针对单路信号防护优化, 7V最大连续工作电压, 搭配9A峰值脉冲电流处理能力, 为电路板穿上隐形盔甲, 抵御静电侵扰。 8pF的低电容值设计, 保障高速信号畅通无阻, 是精密电器及通信设备防静电的优选方案, 确保性能与安全并进。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

10

货期

现货

HVCUT07B1-HD1-G4-08参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存10

HVCUT07B1-HD1-G4-08概述

这款双向ESD静电保护二极管, 针对单路信号防护优化, 7V最大连续工作电压, 搭配9A峰值脉冲电流处理能力, 为电路板穿上隐形盔甲, 抵御静电侵扰。 8pF的低电容值设计, 保障高速信号畅通无阻, 是精密电器及通信设备防静电的优选方案, 确保性能与安全并进。

HVCUT07B1-HD1-G4-08特性

暂无产品特性。

HVCUT07B1-HD1-G4-08应用领域

暂无应用领域。

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