HVCUT07B1-HD1-G4-08
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HVCUT07B1-HD1-G4-08
这款双向ESD静电保护二极管, 针对单路信号防护优化, 7V最大连续工作电压, 搭配9A峰值脉冲电流处理能力, 为电路板穿上隐形盔甲, 抵御静电侵扰。 8pF的低电容值设计, 保障高速信号畅通无阻, 是精密电器及通信设备防静电的优选方案, 确保性能与安全并进。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
10
货期
现货
HVCUT07B1-HD1-G4-08参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
HVCUT07B1-HD1-G4-08概述
这款双向ESD静电保护二极管, 针对单路信号防护优化, 7V最大连续工作电压, 搭配9A峰值脉冲电流处理能力, 为电路板穿上隐形盔甲, 抵御静电侵扰。 8pF的低电容值设计, 保障高速信号畅通无阻, 是精密电器及通信设备防静电的优选方案, 确保性能与安全并进。
HVCUT07B1-HD1-G4-08特性
暂无产品特性。
HVCUT07B1-HD1-G4-08应用领域
暂无应用领域。
