HVBUS03N1-DD1HG3-08
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HVBUS03N1-DD1HG3-08
这款双向ESD保护二极管专为3.3V电压系统优化， 单通道设计适配广泛。 4A峰值电流吸收， 实现高效静电防护。 0.3pF超低电容， 确保信号传递零延迟， 是保障高灵敏度电路和高速数据线路的静电防御专家。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
50
货期
现货
HVBUS03N1-DD1HG3-08参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
HVBUS03N1-DD1HG3-08概述
这款双向ESD保护二极管专为3.3V电压系统优化， 单通道设计适配广泛。 4A峰值电流吸收， 实现高效静电防护。 0.3pF超低电容， 确保信号传递零延迟， 是保障高灵敏度电路和高速数据线路的静电防御专家。
HVBUS03N1-DD1HG3-08特性
暂无产品特性。
HVBUS03N1-DD1HG3-08应用领域
暂无应用领域。