HV10N1H6S
IC
SOT-89
可供量大可议
HV10N1H6S
特性：VDS = 100 V。 ID = 3 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 160 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 170 mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。 应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
品牌
R+O
封装
SOT-89
库存
33,840
货期
现货
HV10N1H6S参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 33840 |
HV10N1H6S概述
特性：VDS = 100 V。 ID = 3 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 160 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 170 mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。 应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
HV10N1H6S特性
暂无产品特性。
HV10N1H6S应用领域
暂无应用领域。