HV10N1H0SG
IC
SOT-89
可供量大可议
HV10N1H0SG
特性：VDS = 100V。 I₀ = 3.4A。 RDS(on)@VGS = 10V < 100mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 130mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。 应用：电池保护。 负载开关
品牌
R+O
封装
SOT-89
库存
1,460
货期
现货
HV10N1H0SG参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1460 |
HV10N1H0SG概述
特性：VDS = 100V。 I₀ = 3.4A。 RDS(on)@VGS = 10V < 100mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 130mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。 应用：电池保护。 负载开关
HV10N1H0SG特性
暂无产品特性。
HV10N1H0SG应用领域
暂无应用领域。