HUS1MHE3AH
IC
SMA
可供量大可议
HUS1MHE3AH
此款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流(IF)和高达1000V的反向电压(VR), 能够在高压环境下稳定工作。 其正向压降(VF)仅为1.7V, 在保证性能的同时减少了能量损耗。 反向漏电流(IR)控制在5μA以内, 确保了在非导通状态下的低能耗特性。 瞬态峰电流(IFSM)可达30A, 适用于需要处理瞬间大电流的应用场合。 该二极管适用于高频开关电源、逆变器以及各类电子设备中的整流与保护电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
80
货期
现货
HUS1MHE3AH参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 80 |
HUS1MHE3AH概述
此款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流(IF)和高达1000V的反向电压(VR), 能够在高压环境下稳定工作。 其正向压降(VF)仅为1.7V, 在保证性能的同时减少了能量损耗。 反向漏电流(IR)控制在5μA以内, 确保了在非导通状态下的低能耗特性。 瞬态峰电流(IFSM)可达30A, 适用于需要处理瞬间大电流的应用场合。 该二极管适用于高频开关电源、逆变器以及各类电子设备中的整流与保护电路中。
HUS1MHE3AH特性
暂无产品特性。
HUS1MHE3AH应用领域
暂无应用领域。
