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HUS1MHE3AH
IC

SMA

可供量大可议

HUS1MHE3AH

此款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流(IF)和高达1000V的反向电压(VR), 能够在高压环境下稳定工作。 其正向压降(VF)仅为1.7V, 在保证性能的同时减少了能量损耗。 反向漏电流(IR)控制在5μA以内, 确保了在非导通状态下的低能耗特性。 瞬态峰电流(IFSM)可达30A, 适用于需要处理瞬间大电流的应用场合。 该二极管适用于高频开关电源、逆变器以及各类电子设备中的整流与保护电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

80

货期

现货

HUS1MHE3AH参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存80

HUS1MHE3AH概述

此款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流(IF)和高达1000V的反向电压(VR), 能够在高压环境下稳定工作。 其正向压降(VF)仅为1.7V, 在保证性能的同时减少了能量损耗。 反向漏电流(IR)控制在5μA以内, 确保了在非导通状态下的低能耗特性。 瞬态峰电流(IFSM)可达30A, 适用于需要处理瞬间大电流的应用场合。 该二极管适用于高频开关电源、逆变器以及各类电子设备中的整流与保护电路中。

HUS1MHE3AH特性

暂无产品特性。

HUS1MHE3AH应用领域

暂无应用领域。

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