HUS1GE361T
IC
SMA
可供量大可议
HUS1GE361T
这款快恢复二极管具有1A的正向电流(IF)承载能力, 以及400V的最大反向电压(VR), 适用于多种高频电路中。 其正向电压降(VF)为1.3V, 有效降低导通时的功耗。 在反向状态下, 漏电流(IR)不超过5µA, 确保了较低的能量损失。 瞬态条件下, 该二极管可以承受高达30A的正向浪涌电流(IFSM), 增强了其应对突发大电流的能力。 这些特性使它成为需要快速开关及高效率性能的电路设计中的优选元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
30
货期
现货
HUS1GE361T参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
HUS1GE361T概述
这款快恢复二极管具有1A的正向电流(IF)承载能力, 以及400V的最大反向电压(VR), 适用于多种高频电路中。 其正向电压降(VF)为1.3V, 有效降低导通时的功耗。 在反向状态下, 漏电流(IR)不超过5µA, 确保了较低的能量损失。 瞬态条件下, 该二极管可以承受高达30A的正向浪涌电流(IFSM), 增强了其应对突发大电流的能力。 这些特性使它成为需要快速开关及高效率性能的电路设计中的优选元件。
HUS1GE361T特性
暂无产品特性。
HUS1GE361T应用领域
暂无应用领域。
