HUMH9NTN
IC
SOT-363
可供量大可议
HUMH9NTN
此双NPN结构数字晶体管， 性能均衡， 50V Vceo耐压， 0.07A Ic电流， 0.15W Pd功率， 展现稳定高效特性。 适用于精细电路设计， 提供精准信号控制与放大， 是现代电子设备中不可或缺的智能元件。
Brand
HXY MOSFET
Package
SOT-363
Stock
10
货期
现货
HUMH9NTNParameters
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
HUMH9NTN概述
此双NPN结构数字晶体管， 性能均衡， 50V Vceo耐压， 0.07A Ic电流， 0.15W Pd功率， 展现稳定高效特性。 适用于精细电路设计， 提供精准信号控制与放大， 是现代电子设备中不可或缺的智能元件。
HUMH9NTN特性
暂无产品特性。
HUMH9NTN应用领域
暂无应用领域。