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HUFA76633P3-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

HUFA76633P3-VB

台积电流片, 长电科技封装; TO220; N—Channel沟道, 100V; 55A; RDS(ON)=36(mΩ)@VGS=10V, VGS=±20V; Vth=1.8V; 采用Trench技术

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

10

货期

现货

HUFA76633P3-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

HUFA76633P3-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; TO220; N—Channel沟道, 100V; 55A; RDS(ON)=36(mΩ)@VGS=10V, VGS=±20V; Vth=1.8V; 采用Trench技术

HUFA76633P3-VB特性

暂无产品特性。

HUFA76633P3-VB应用领域

暂无应用领域。

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