HUFA76633P3-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为33A， 漏源击穿电压100V， 导通电阻30毫欧， 栅源电压上限20V。 其低导通阻抗特性有助于降低通路损耗， 适用于各类开关电源、直流电机驱动及电池保护电路中的功率开关单元。 在高频切换应用中， 该器件能有效控制温升并提升系统整体能效， 满足对电气性能稳定性有较高要求的电子设备设计需求。