库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
HUFA76609D3ST_NL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

HUFA76609D3ST_NL-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为10安培, 漏源击穿电压为100伏特, 导通电阻为140毫欧, 栅源驱动电压支持20伏。 其电气参数适用于中等功率的直流电机控制、开关电源适配及电池保护电路。 在100伏耐压范围内, 该器件能提供稳定的开关性能, 适合对电压裕量和电流容量有明确要求的电力电子设计, 确保系统在既定工况下可靠运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

47

货期

现货

HUFA76609D3ST_NL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

HUFA76609D3ST_NL-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为10安培, 漏源击穿电压为100伏特, 导通电阻为140毫欧, 栅源驱动电压支持20伏。 其电气参数适用于中等功率的直流电机控制、开关电源适配及电池保护电路。 在100伏耐压范围内, 该器件能提供稳定的开关性能, 适合对电压裕量和电流容量有明确要求的电力电子设计, 确保系统在既定工况下可靠运行。

HUFA76609D3ST_NL-HXY特性

暂无产品特性。

HUFA76609D3ST_NL-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件