HUFA76609D3ST_NL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HUFA76609D3ST_NL-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为10安培, 漏源击穿电压为100伏特, 导通电阻为140毫欧, 栅源驱动电压支持20伏。 其电气参数适用于中等功率的直流电机控制、开关电源适配及电池保护电路。 在100伏耐压范围内, 该器件能提供稳定的开关性能, 适合对电压裕量和电流容量有明确要求的电力电子设计, 确保系统在既定工况下可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
47
货期
现货
HUFA76609D3ST_NL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
HUFA76609D3ST_NL-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为10安培, 漏源击穿电压为100伏特, 导通电阻为140毫欧, 栅源驱动电压支持20伏。 其电气参数适用于中等功率的直流电机控制、开关电源适配及电池保护电路。 在100伏耐压范围内, 该器件能提供稳定的开关性能, 适合对电压裕量和电流容量有明确要求的电力电子设计, 确保系统在既定工况下可靠运行。
HUFA76609D3ST_NL-HXY特性
暂无产品特性。
HUFA76609D3ST_NL-HXY应用领域
暂无应用领域。
