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HUFA76609D3ST_F085-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

HUFA76609D3ST_F085-HXY

该N沟道场效应管漏源击穿电压为100V, 连续漏极电流10A, 导通电阻140mΩ, 栅源电压耐受值20V。 其参数特性适用于中低功率开关场景, 如便携式设备电源管理、照明驱动电路及消费类电子产品的负载开关。 器件在既定电压电流范围内工作稳定, 适合对空间布局有要求的紧凑型电路板设计, 满足常规电力转换需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

HUFA76609D3ST_F085-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

HUFA76609D3ST_F085-HXY概述

该N沟道场效应管漏源击穿电压为100V, 连续漏极电流10A, 导通电阻140mΩ, 栅源电压耐受值20V。 其参数特性适用于中低功率开关场景, 如便携式设备电源管理、照明驱动电路及消费类电子产品的负载开关。 器件在既定电压电流范围内工作稳定, 适合对空间布局有要求的紧凑型电路板设计, 满足常规电力转换需求。

HUFA76609D3ST_F085-HXY特性

暂无产品特性。

HUFA76609D3ST_F085-HXY应用领域

暂无应用领域。

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