HUFA76609D3ST_F085-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HUFA76609D3ST_F085-HXY
该N沟道场效应管漏源击穿电压为100V, 连续漏极电流10A, 导通电阻140mΩ, 栅源电压耐受值20V。 其参数特性适用于中低功率开关场景, 如便携式设备电源管理、照明驱动电路及消费类电子产品的负载开关。 器件在既定电压电流范围内工作稳定, 适合对空间布局有要求的紧凑型电路板设计, 满足常规电力转换需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
HUFA76609D3ST_F085-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
HUFA76609D3ST_F085-HXY概述
该N沟道场效应管漏源击穿电压为100V, 连续漏极电流10A, 导通电阻140mΩ, 栅源电压耐受值20V。 其参数特性适用于中低功率开关场景, 如便携式设备电源管理、照明驱动电路及消费类电子产品的负载开关。 器件在既定电压电流范围内工作稳定, 适合对空间布局有要求的紧凑型电路板设计, 满足常规电力转换需求。
HUFA76609D3ST_F085-HXY特性
暂无产品特性。
HUFA76609D3ST_F085-HXY应用领域
暂无应用领域。
