库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
HUFA76439P3-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

HUFA76439P3-HXY

这款N沟道场效应管具备60安培的连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为60伏。 其导通电阻低至11毫欧, 能有效降低导通损耗, 栅源极间可承受20伏电压。 该器件凭借低内阻与高电流特性, 适用于各类大电流开关电路, 常见于开关电源输出级、直流电机驱动模块及电池保护板等场景, 能够高效执行功率切换与负载控制任务。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

23

货期

现货

HUFA76439P3-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

HUFA76439P3-HXY概述

这款N沟道场效应管具备60安培的连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为60伏。 其导通电阻低至11毫欧, 能有效降低导通损耗, 栅源极间可承受20伏电压。 该器件凭借低内阻与高电流特性, 适用于各类大电流开关电路, 常见于开关电源输出级、直流电机驱动模块及电池保护板等场景, 能够高效执行功率切换与负载控制任务。

HUFA76439P3-HXY特性

暂无产品特性。

HUFA76439P3-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件