HUFA76439P3-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
HUFA76439P3-HXY
这款N沟道场效应管具备60安培的连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为60伏。 其导通电阻低至11毫欧, 能有效降低导通损耗, 栅源极间可承受20伏电压。 该器件凭借低内阻与高电流特性, 适用于各类大电流开关电路, 常见于开关电源输出级、直流电机驱动模块及电池保护板等场景, 能够高效执行功率切换与负载控制任务。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
23
货期
现货
HUFA76439P3-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
HUFA76439P3-HXY概述
这款N沟道场效应管具备60安培的连续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为60伏。 其导通电阻低至11毫欧, 能有效降低导通损耗, 栅源极间可承受20伏电压。 该器件凭借低内阻与高电流特性, 适用于各类大电流开关电路, 常见于开关电源输出级、直流电机驱动模块及电池保护板等场景, 能够高效执行功率切换与负载控制任务。
HUFA76439P3-HXY特性
暂无产品特性。
HUFA76439P3-HXY应用领域
暂无应用领域。
