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HUFA76429D3ST-F085-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

HUFA76429D3ST-F085-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为30A, 漏源击穿电压为60V, 导通电阻低至22毫欧。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关电源、电机驱动控制及电池管理系统等场景。 在直流变换器或功率放大电路中, 它能有效降低热损耗, 提升整体能效, 满足高负载下的稳定运行需求, 是高性能电源设计的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

HUFA76429D3ST-F085-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

HUFA76429D3ST-F085-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为30A, 漏源击穿电压为60V, 导通电阻低至22毫欧。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关电源、电机驱动控制及电池管理系统等场景。 在直流变换器或功率放大电路中, 它能有效降低热损耗, 提升整体能效, 满足高负载下的稳定运行需求, 是高性能电源设计的理想选择。

HUFA76429D3ST-F085-HXY特性

暂无产品特性。

HUFA76429D3ST-F085-HXY应用领域

暂无应用领域。

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