HUFA76429D3ST-F085-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HUFA76429D3ST-F085-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为30A, 漏源击穿电压为60V, 导通电阻低至22毫欧。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关电源、电机驱动控制及电池管理系统等场景。 在直流变换器或功率放大电路中, 它能有效降低热损耗, 提升整体能效, 满足高负载下的稳定运行需求, 是高性能电源设计的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
HUFA76429D3ST-F085-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
HUFA76429D3ST-F085-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为30A, 漏源击穿电压为60V, 导通电阻低至22毫欧。 凭借低导通损耗特性, 器件适用于大电流开关电源、电机驱动控制及电池管理系统等场景。 在直流变换器或功率放大电路中, 它能有效降低热损耗, 提升整体能效, 满足高负载下的稳定运行需求, 是高性能电源设计的理想选择。
HUFA76429D3ST-F085-HXY特性
暂无产品特性。
HUFA76429D3ST-F085-HXY应用领域
暂无应用领域。
