HUFA75617D3ST-HXY

该N沟道场效应管具备20安培连续漏极电流与100伏漏源击穿电压， 导通电阻为80毫欧。 低导通损耗特性使其在大电流开关应用中表现优异， 适用于高性能直流电源转换、电池管理模块及电机驱动电路。 器件能在高负载条件下保持高效能量传输， 同时简化散热设计， 满足对功率密度和热稳定性有严格要求的电子设备需求。