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HUFA75429D3ST-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

HUFA75429D3ST-HXY

该N沟道场效应管最大漏源电压为60V, 连续漏极电流高达30A, 导通电阻典型值为22毫欧。 器件适用于大电流电源转换、电机驱动及电池管理系统, 在高性能计算设备、储能装置及智能终端中可实现低损耗电能传输与高效开关控制, 具备优异的导通特性与热稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

40

货期

现货

HUFA75429D3ST-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

HUFA75429D3ST-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏源电压为60V, 连续漏极电流高达30A, 导通电阻典型值为22毫欧。 器件适用于大电流电源转换、电机驱动及电池管理系统, 在高性能计算设备、储能装置及智能终端中可实现低损耗电能传输与高效开关控制, 具备优异的导通特性与热稳定性。

HUFA75429D3ST-HXY特性

暂无产品特性。

HUFA75429D3ST-HXY应用领域

暂无应用领域。

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