HUFA75429D3ST-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HUFA75429D3ST-HXY
该N沟道场效应管最大漏源电压为60V, 连续漏极电流高达30A, 导通电阻典型值为22毫欧。 器件适用于大电流电源转换、电机驱动及电池管理系统, 在高性能计算设备、储能装置及智能终端中可实现低损耗电能传输与高效开关控制, 具备优异的导通特性与热稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
40
货期
现货
HUFA75429D3ST-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
HUFA75429D3ST-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏源电压为60V, 连续漏极电流高达30A, 导通电阻典型值为22毫欧。 器件适用于大电流电源转换、电机驱动及电池管理系统, 在高性能计算设备、储能装置及智能终端中可实现低损耗电能传输与高效开关控制, 具备优异的导通特性与热稳定性。
HUFA75429D3ST-HXY特性
暂无产品特性。
HUFA75429D3ST-HXY应用领域
暂无应用领域。
