HUF76633P3-F085-HXY
IC
TO-220
可供量大可议
HUF76633P3-F085-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为30毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于高效率电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节, 能够在高频切换工况下保持稳定的电气性能, 满足对能效与热管理有严格要求的电子设备设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220
库存
24
货期
现货
HUF76633P3-F085-HXY参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
HUF76633P3-F085-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为30毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于高效率电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节, 能够在高频切换工况下保持稳定的电气性能, 满足对能效与热管理有严格要求的电子设备设计需求。
HUF76633P3-F085-HXY特性
暂无产品特性。
HUF76633P3-F085-HXY应用领域
暂无应用领域。
