库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
HUF76633P3-F085-HXY
IC

TO-220

可供量大可议

HUF76633P3-F085-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为30毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于高效率电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节, 能够在高频切换工况下保持稳定的电气性能, 满足对能效与热管理有严格要求的电子设备设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220

库存

24

货期

现货

HUF76633P3-F085-HXY参数

封装TO-220
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存24

HUF76633P3-F085-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为33A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻典型值为30毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于高效率电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节, 能够在高频切换工况下保持稳定的电气性能, 满足对能效与热管理有严格要求的电子设备设计需求。

HUF76633P3-F085-HXY特性

暂无产品特性。

HUF76633P3-F085-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件