HUF76629D3ST
IC
DPAK(TO-252)
可供量大可议
HUF76629D3ST
特性：典型导通电阻：当VGS = 10V、ID = 20A时， 为41mΩ。 典型总栅极电荷：当VGS = 10V、ID = 20A时， 为39nC。 具备UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。 应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
品牌
onsemi
封装
DPAK(TO-252)
库存
2
货期
现货
HUF76629D3ST参数
| 封装 | DPAK(TO-252) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
HUF76629D3ST概述
特性：典型导通电阻：当VGS = 10V、ID = 20A时， 为41mΩ。 典型总栅极电荷：当VGS = 10V、ID = 20A时， 为39nC。 具备UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。 应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
HUF76629D3ST特性
暂无产品特性。
HUF76629D3ST应用领域
暂无应用领域。